设备主要用于硅晶圓，半导体化合物等硬脆材料的磨削加工，加工范围广，适合于加工4″—8″尺寸的晶圆。
关键部件
磨削主轴采用高精度、高刚度的电空气静压轴承，主轴旋转精度高，极大程度的保证了高精度磨削
全中文界面
采用高精度进口测量仪，测量分辨率0.1μm，重复精度±0.5μm，实现了减薄过程中，晶圆厚度的实时检测，保证了晶圆厚度的准确性。
关键特点
◎采用IN-FEED磨削原理设计，通过晶圆自传，磨轮高速旋转以极低速度进给方式进行切入式磨削。
◎磨削主轴以及承片台主轴均采用空气静压轴承，设备的加工精度、可靠性更高。
◎采用粗磨精磨轨迹重合技术，提高设备磨削加工精度。
◎通过精密减薄，最小厚度可达100um以下。
◎采用测量分辨率0.1um、重复精度±0.5um的在线测量仪为检测单元的全闭环系统，可精确控制减薄厚度，获得更高的安全性与可靠性。
技术参数
晶圆直径 |
| mm | Max.ø200（ø4" - ø8"） |
磨削方式 |
|
| In-feed grinding with wafer rotation 通过旋转晶圆，实现纵向切入式磨削 |
主轴 | 使用主轴 | - | 高频电机内装式空气主轴 |
主轴数量 | - | 2 | |
额定功率 | Kw | 3.8 | |
转速 | Rpm | 1000-6000 | |
Z轴行程 | mm | 90(有初始化位置) | |
Z轴进给速度 | mm/s | 0.00001～0.08 | |
Z轴快速退刀速度 | mm/s | 50 | |
Z轴最小位移量 | μm | 0.1 | |
Z轴分辨率 | μm | 0.1 | |
测量仪 | 测量范围 | μm | 0 - 1,600 |
分辨率 | μm | 0.1 | |
重复精度 | μm | ±0.5 | |
承片台 | 承片台轴类型 |
| 空气轴承 |
承片台类型 |
| 多孔陶瓷式承片台 | |
装片方式 |
| 真空吸附 | |
转速 | rpm | 0-300 | |
承片台数 |
| 3 | |
加工精度 | 单片晶圆內的厚度偏差 | μm | 1.5以下（使用专用承片台） |
不同片晶圆內的厚度偏差 | μm | ±3以下 | |
精磨粗糙度 | μm | Ry 0.13（使用#2000磨輪進行精加工時） Ry 0.15（使用#1400磨輪進行精加工時） | |
晶圆磨削最小厚度 |
| μm | 最小厚度100mm |
碎片率 |
|
| 1/1000(在粗磨采用325#、精磨采用2000#砂轮，目标厚度不小于150μm的情况下) |
查看手机站
