IC Insights预测，今年半导体资本支出总额将增至1020亿美元，这是该行业年均支出总额首次超过1000亿美元。今年1020亿美元的支出水平比2017年的933亿美元增长了9%，比2016年增长了38%。预计存储器IC占2018年半导体支出的53%，其中，闪存占资本支出的份额最大，而DRAM资本支出今年将以最高的速度继续增长。

　　如图所示，超过一半的行业资本支出预计用于内存尤其是DRAM和闪存生产，包括对现有晶圆厂产线和全新制作设施的升级。总的来说，预计今年内存将占到半导体资本支出的53%，达到540亿美元。用于存储器件的资本支出比例在六年内大幅增加，几乎在2013年27%占比(147亿美元)的基础上翻了一番，2013~2018年复合年增长率相当于达到30%。

　　从具体产品类别来看，预计DRAM/SRAM的支出增幅最大，但预计用于闪存产品的支出占今年的最大比例，如下图。预计2018年DRAM/SRAM市场的资本支出将在2017年强劲增长82%以后再次达到41%的增长幅度，而今年闪存支出继2017年增长91%之后也将再次增长13%。

　　经过连续两年的资本支出大幅增长，半导体厂商眼下面临一个迫在眉睫的问题，即高水平的支出是否会导致产能过剩和价格下降。存储历史教训表明，过多的支出通常会导致产能过剩和随之而来的价格疲软。三星、SK海力士、美光、英特尔、东芝、西部数据、SanDisk和长江存储等厂商都计划在未来几年内大幅提升3D NAND闪存容量，还将有中国大陆其他新的内存厂商加入这一大军。IC Insights认为，未来3D NAND闪存市场需求过高的风险不断高涨。